د بریښنا MOSFET باډي ډایډ بندول: د زیانونو کمولو او موثریت لوړولو لپاره ستراتیژۍ

د فلزي-اکسایډ-سیمیکنډکټر فیلډ-اثر ټرانزیسټرونو (MOSFETs) د برقیاتو صنعت کې انقلاب رامینځته کړی ، چې په پراخه سرکټونو کې هر اړخیز اجزا ګرځیدلي. پداسې حال کې چې د دوی لومړني دنده د بریښنایی سیګنالونو کنټرول او پراخول دي ، MOSFETs هم یو ډیر ځله له پامه غورځول شوی مګر مهم عنصر ساتي: د داخلي بدن ډیایډ. دا بلاګ پوسټ د MOSFET باډي ډایډونو پیچلتیاو ته ګوته نیسي ، د دوی د زیانونو کمولو او د عمومي سرکټ موثریت لوړولو لپاره ستراتیژیو سپړنه کوي.

د MOSFET د بدن ډایډ ضایعاتو پوهیدل

د بدن ډایډ، د MOSFET جوړښت کې یو ارثي پرازیتي جنکشن دی، د غیر مستقیم جریان جریان څرګندوي، دا اجازه ورکوي چې جریان د اوبو څخه سرچینې ته تیریږي مګر برعکس نه. پداسې حال کې چې دا ارزښتناکه اهدافو ته خدمت کوي، د بدن ډیوډ کولی شي د بریښنا ضایعات معرفي کړي چې د سرکټ موثریت کموي.

د کنډکشن زیانونه: د MOSFET د حالت په جریان کې، د بدن ډایډ په شا لوري کې جریان ترسره کوي، تودوخه تولیدوي او د بریښنا ضایع کوي.

د بدلولو زیانونه: د MOSFET د سویچ کولو لیږد په جریان کې، د بدن ډیوډ د بیرته راستنیدو دورې په جریان کې جریان ترسره کوي، چې د ضایع کیدو سبب کیږي.

د MOSFET د بدن ډایډ ضایعاتو کمولو لپاره ستراتیژۍ

د مناسب MOSFETs غوره کول: MOSFETs د ټیټ باډي ډایډ فارورډ ولټاژ سره غوره کړئ او د بیرته راګرځیدو وخت په ترتیب سره د لیږد او سویچ کولو زیانونه کم کړئ.

د ډرایو سیګنالونو اصلاح کول: د ګیټ ډرایو مناسب سیګنالونه وکاروئ ترڅو هغه وخت کم کړئ چې د باډي ډایډډ د سویچ کولو پرمهال ترسره کوي ، د سویچ کولو زیانونه کموي.

د سنوبر سرکیټونو کارول: د سنبر سرکیټونو پلي کول چې د مقاومت کونکو او کیپسیټرونو څخه جوړ وي ترڅو د پرازیتي انډکټانسونو کې زیرمه شوې انرژي ضایع کړي او د ولټاژ سپکونه کم کړي ، د سویچ کولو زیانونه کم کړي.

موازي باډي ډایډونه: د باډي ډایډ سره موازي بهرني ډایډونه په پام کې ونیسئ ترڅو اوسني شریک کړي او د بریښنا ضایع کم کړي ، په ځانګړي توګه په لوړ اوسني غوښتنلیکونو کې.

د بدیل سرکیټ ډیزاین: په ځینو حاالتو کې، د بدیل سرکیټ ټوپولوژی چې د بدن د ډایډډ کنډکشن لارې ته اړتیا له منځه وړي د زیانونو نور کمولو لپاره په پام کې نیول کیدی شي.

د MOSFET د بدن ډایډ ضایعاتو کمولو ګټې

ښه موثریت: د بدن د ډایډ ضایعاتو کمول د عمومي سرکټ موثریت ته وده ورکوي، د ټیټ بریښنا مصرف او د انرژي سپمولو کې ژباړل کیږي.

د تودوخې تولید کمول: د ضایعاتو کمول د MOSFET او شاوخوا برخو کې د تودوخې تولید کموي، د تودوخې فعالیت ښه کوي او د اجزاو عمر اوږدوي.

لوړ اعتبار: د عملیاتي تودوخې ټیټه او په اجزاو باندې فشار کمول د سرکټ اعتبار او اوږد عمر کې مرسته کوي.

پایله

د MOSFET باډي ډایډونه ، پداسې حال کې چې ډیری وختونه له پامه غورځول کیږي ، کولی شي د پام وړ د سرکټ موثریت او فعالیت اغیزه وکړي. د باډي ډایډ د ضایعاتو سرچینې درک کول او د اغیزمن کمولو ستراتیژیو پلي کول د لوړ موثریت او باوري بریښنایی سیسټمونو ډیزاین کولو لپاره خورا مهم دي. د دې تخنیکونو په پلي کولو سره، انجنیران کولی شي د سرکټ فعالیت ښه کړي، د انرژۍ مصرف کم کړي، او د دوی د بریښنایی ډیزاینونو عمر وغزوي.